Термополевая двухлучевая система JIB-4600F

JIB4600FJIB-4600F—гибридная система, сочетающая в себе высокоразрешающий РЭМ и систему со сфокусированным ионным пучком.

РЭМ позволяет позиционировать ионный пучок в место травления с высокой точностью и визуализировать процесс травления с разрешением до 1.2 нм.

Благодаря высокому току зонда (до 200 нА), прибор позволяет эффективно использовать приставки для микроанализа (ЭДС, ДОРЭ), а большое количество портов открывают широкие возможности по дооснащению прибора различными приставками.

Также, непосредственно в камеру образцов данного прибора возможна установка наноманипуляторов серии Omniprobe, которые позволяют производить различные механические манипуляции с модифицируемыми объектами.

Основные характеристики прибора:

СФОКУСИРОВАННЫЙ ИОННЫЙ ПУЧОК (СИП)

Источник ионов Ga-источник, 5 – 30 кВ, 30 нА (на 30 кВ)
Увеличение x30, х100 – x300,000
Разрешение 5 нм (при 30 кВ)

РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП (РЭМ)

Источник электронов ZrO/W (100) Шоттки, 0.2 – 30 кВ, 200 нА
Увеличение x50 – x1,000,000
Разрешение 1.2 нм (30 кВ) 3.0 нм (1 кВ)
Столик образцов гониометрический (X: 50 мм, Y: 50 мм, Z: 1,5-40 мм)